三星电子副总裁: 现有热压缩键合无法满足 20Hi HBM 内存生产需求

  • 2025-07-23 16:42:12
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IT之家7月22日消息,综合韩媒ETNews、ZDNETKorea报道,三星电子公司副总裁、系统封装实验室领导KimDae-Woo今日在一场产业研讨会上表示,现有的热压缩键合(TCB)技术无法满足未来20层(16层以上)HBM内存堆栈的生产需求。

负责连接各层DRAMDie的键合工艺在HBM的制造中起到举足轻重的作用,传统TCB包含凸块结构,这影响了进一步的间距压缩同时拥有更高热阻。根据三星电子给出的数据,无凸块的混合键合(HCB)可将堆叠层数提高至多1/3、热阻降低至多20%。

图源三星电子,引自ZDNETKorea

三星电子将16层堆叠视为HBM内存键合技术从TCB转向HCB的关键节点,这大致对应HBM4E内存世代,到HBM5混合键合将实现全面应用。