清华大学EUV光刻胶研发取得重要突破!

咱们在芯片关键材料上，终于有了一次像样的 “反击”。

7月23日，清华大学官网发文，清华大学许华平教授团队在EUV光刻胶上取得重要突破。

作为一个长期关注芯片产业的人，看到他们研发出基于聚碲氧烷的新型光刻胶，还登上了《科学进展》期刊，我这心里真是又激动又感慨。

可能有人会问，光刻胶这东西到底有多重要？

作为芯片制造时的 “感光底片”，EUV光刻技术要在7纳米及以下的先进制程里刻出电路图案，全靠它来实现。

但以前咱们在这方面太被动了，EUV光刻胶国产化率几乎为零，就算是技术相对简单的 KrF、ArF 光刻胶，国产货也只占1%-2%。

整个半导体材料的国产化率才15%，70%都得靠进口。

许华平团队的创新，说白了就是找对了 “材料密码”。他们把碲这种元素放进了聚合物主链里，这东西吸收EUV光线的能力比传统材料里的锌、锆这些强多了。

更妙的是，碲和氧形成的键比较 “脆”，一被EUV光照射就会断裂，能快速显影出精细的电路图案。

这项突破的意义，可不止于实验室里的论文。国家早就把光刻胶当成了战略重点，大基金三期要投500多亿支持研发，相当于前两期的总和。

地方也在使劲，毕竟到2026年，咱们对光刻胶的需求还在以每年10%的速度增长，国产替代的市场大得很。

以前总听说 “造不如买”，但这几年的技术封锁让咱们明白，关键东西必须自己搞，不然永远要看别人脸色。

不过话说回来，从实验室到工厂量产，还有不少坎要迈。

光刻胶这东西太 “娇气” 了，纯度、稳定性、每一批次的一致性都得做到极致，不然刻出来的芯片就会出问题。

而且，它还得和 EUV 光刻机这些设备配套，整个产业链得拧成一股绳，这可不是一天两天能搞定的。

现在全球光刻胶市场，日本和美国的企业还占着大头，专利壁垒密密麻麻。但越是这样，咱们越得咬牙坚持。这次清华大学的突破，相当于在墙上凿开了一个小口子，让光透了进来。

接下来，就得靠企业把技术接过去，解决量产中的各种难题，把成本降下来，质量提上去。

我觉得这次突破最大的价值，不光是技术上的进步，更给整个行业打了一剂强心针。它证明咱们在高端材料领域不是不行，只要肯投入、肯钻研，就能找到突破口。

随着越来越多的团队加入，政策和资金持续给力，说不定再过几年，咱们就能用上完全自主的EUV光刻胶，芯片产业的自主率也能大大提高。

清华大学这一步，走得扎实，也走得及时。